中国科学技术大学郭光灿院士团队在多体非线性量子干涉研究中取得重要进展。该团队教授任希锋研究组与德国马克斯·普朗克光科学研究所教授Mario Krenn合作，基于光量子集成芯片，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的干涉。相关成果日前发表于《光学》。


　　量子干涉是众多量子应用的基础，特别是近年来基于路径不可区分性产生的非线性干涉过程越来越引人关注。尽管实现双光子非线性干涉过程已有20多年，并且在许多新兴量子技术中得到应用，直到2017年人们才在理论上将该现象扩展到多光子过程，但实验上由于需要极高的相位稳定性和路径重合性，一直未获得新的进展。光量子集成芯片以极高的相位稳定性和可重构性逐渐发展成为展示新型量子应用、开发新型量子器件的理想平台，也为实现多光子非线性干涉研究提供了可能。


　　任希锋研究组长期致力于硅基光量子集成芯片开发及相关应用研究，并取得一系列重要进展。在前期工作的基础上，研究组同Mario Krenn合作，通过将多光子量子光源模块、滤波模块和延时模块等结构进一步片上级联，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的相干相长、相消过程，四光子干涉可见度为0.78。而双光子符合并未观测到随相位的明显变化，这同理论预期一致。整个实验在一个尺寸仅为3.8×0.8平方毫米的硅基集成光子芯片上完成。


　　该成果成功将双光子非线性干涉过程扩展到多光子过程，为新型量子态制备、远程量子计量及新的非局域多光子干涉效应观测等众多新应用奠定了基础。


　　审稿人一致认为，“该芯片设计精良，包含多种集成光学元件，如纠缠光子源、干涉仪、频率滤波器/组合器”“这项工作推动了集成光子量子信息科学与技术研究领域的发展”。（王敏）


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